爱威客-电子设计云平台
HI~请[登录] [免费注册]

CODE_ZYNQ_DRV_NAND

主要用途：主要用于ZYNQ 的PS部分和NAND FLASH 之间进行通信，包括页读，页写。擦除，读取ID等。

能力分类：嵌入式

应用领域：便携产品,电源电池,机器人,无人机,射频通信

交易方式： 定制

参考价格：￥50000.00 小贴士：当前佣金是0%

好评率：100%| 综合评分：5.0| 已购买：0次
联系我 收藏店铺
分享： 

1  模块描述

  Nand-flash内存是flash内存的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。

  此IP是NAND FLASH的控制器，用在zynq上，能够使用PS部分对NAND FLASH进行页读，

页写，块擦除，读取ID等。

1.1  原理及方式

由于PS部分是AXI总线，而NAND FLASH是ONFI总线，所以我们在控制器内同事集成了AXI 总线，和ONFI 总线，并在内部把AXI的数据转换为ONFI总线兼容的数据，发送给NAND FLASH 进而对NAND FLASH进行控制。

1.2  主要功能

主要用于ZYNQ 的PS部分和NAND FLASH 之间进行通信，包括页读，页写。擦除，读取ID等。

2 标准模块

ONFI模块

3 模块设计

端口的信号表如下表：

信号名字

位宽（bit）

方向

说明

s_axi_aclk

1

I

axi时钟

s_axi_aresetn

1

I

axi复位

s_axi_awvalid

1

I

axi写地址有效

s_axi_awaddr

32

I

axi写地址

s_axi_awready

1

O

axi写地址准备好

s_axi_wvalid

1

I

axi写有效

s_axi_wdata

32

I

axi写数据

s_axi_wstrb

4

I

axi写选通

s_axi_wready

1

O

axi写准备好

s_axi_bvalid

1

O

axi写响应有效

s_axi_bresp

2

O

axi写响应

s_axi_bready

1

I

axi写响应准备好

s_axi_arvalid

1

I

axi读地址有效

s_axi_araddr

32

I

axi读地址

s_axi_arready

1

O

axi读地址准备好

s_axi_rvalid

1

O

axi读有效

s_axi_rdata

32

O

axi读数据

s_axi_rresp

2

O

axi读响应

s_axi_rready

1

I

axi读准备好

ale  

1

O

芯片的地址有效信号

ce_n

2

O

芯片的片选信号

cle

1

O

芯片的命令有效信号

re_n

1

O

芯片的读信号

we_n  

1

O

芯片的写信号

wp_n

1

O

芯片的写保护信号

io8

8

T

芯片的数据信号

rb_n

2

I

芯片的准备好/繁忙信号

 

NAND 控制器中的寄存器：

NAND控制器中的寄存器

寄存器名字

bit

DW地址

读写权限

默认值

描述

PCORE_VERSION

32

0h

R

21002100h

内核版本号

cs_n

2

1h

RW

11b

ce_n的选择，低电平有效

cmd1

8

2h

RW

00h

命令1寄存器

addr1

8

3h

RW

00h

地址1寄存器

addr2

8

4h

RW

00h

地址2寄存器

addr3

8

5h

RW

00h

地址3寄存器

addr4

8

6h

RW

00h

地址4寄存器

addr5

8

7h

RW

00h

地址5寄存器

cmd2

8

8h

RW

00h

命令2寄存器

cmd1_flg

1

9h

RW

00h

命令1有效位

addr1_flg

1

ah

RW

00h

地址1有效位

addr2_flg

1

bh

RW

00h

地址2有效位

addr3_flg

1

ch

RW

00h

地址3有效位

addr4_flg

1

dh

RW

00h

地址4有效位

addr5_flg

1

eh

RW

00h

地址5有效位

cmd2_flg

1

fh

RW

00h

命令2有效位

start

1

10h

RW

00h

开始传输的信号，上升沿有效

Mem

2112Byte

11h-850h

RW

ffh

存储写入或者读出的数据

wdata_flg

1

851h

RW

00h

是否有写入数据的标志位

dly_cnt

8

852h

RW

00h

延时计数器

wdata_num

13

853h

RW

00h

写入的数据的数量个数，以字节计数

rdata_num

13

854h

RW

00h

读出的数据的数量个数，以字节计数

rdata_flg

1

855h

RW

00h

读数据标志位

rdone

1

856h

RW

00h

onfi读数据结束标志位，硬件置1软件清零

rb_n_o

1

857h

R

00h

ready/busy标志位

 

NAND 中的命令列表：

1.png 

NAND 的操作时序图：

 



总体评价

好评率：100%

好评数量：0个

总体评分

工作速度：5分

工作质量：5分

工作态度：5分

暂无评价

企业其他能力

More>